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一、前道(Front-end)1、晶圓處理工序WaferFabrication本工序的主要工作是在晶圓上制作磁路和電路,其處理程序的基本步驟是先將晶圓適當清洗,再在其表面進行氧化和物理化學氣相沉積,然后進行鍍膜、光刻、刻蝕、回火等反復步驟,最終在晶圓上完成磁性傳感器芯片的加工與制作。2、晶圓針測工序WaferProbe經過晶圓處理工序后,晶圓上即形成許多小格,稱之為晶方或晶粒(Die)。在一般情形下,同一片晶圓上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規格的產品;這些晶圓必須通過晶片允收測試,晶粒將會逐一經過針測(Probe)儀器以測試其電氣特性,不合格的晶粒將會被標上記號(InkDot),此程序稱為晶圓針測工序(WaferProbe)。然后晶圓將依晶粒為單位被切割成一粒粒獨立的晶粒。二、后道(Back-end)1、封裝工序Packaging將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接,以作為與外界電路板連接之用,最后蓋上塑膠蓋板,用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片(IntegratedCircuit;簡稱IC)。2、測試工序InitialTestandFinalTest芯片制造的最后一道工序為測試,其又可分為一般測試和特殊測試,前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性,如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數,從相近參數規格、品種中拿出部分芯片,做有針對性的專門測試,看是否能滿足客戶的特殊需求,以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠,而未通過測試的芯片則視其達到的參數情況定為降級品或廢品。
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